电路剖析

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PTM

功率器件及电源芯片设计验证

Rdson提取 Gate Delay剖析 电热剖析

PTM是应用于功率器件和电源芯片的设计剖析套件,已被国际众多功率器件厂商认可和接纳。它不仅可以高精度提取Rdson,还可以验证器件的开关行为,确保产物的可靠性和寿命。

  • 接纳基于界线的3D求解器,精准优化功率晶体管阵列中的导通电阻(Rdson)和Gate Delay。

  • 检查并优化电流密度“热门”,检查电迁徙违规。

  • 优化国界结构和pad放置,检测缺失的通孔和金属电流拥挤。

  • 将协同设计扩展到芯片、封装和PCB情形,确保芯片电路更优电热性能。

  • 集成易用的效果审查器,使剖面剖析陈诉和场视图清晰易懂。


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产物亮点

  • 精准

    高精度参数提取和优化

  • 视图富厚

    2D视图、求解器视图和场视图

  • 结构优化

    剖析Pad、Via位置

  • 可靠性

    剖析电迁徙、过热故障等隐患

  • 动态剖析

    基于仿真的瞬态电热剖析

  • 开关剖析

    提升开关频率

产物应用

  • 功率器件
    设计剖析
    (IGBT)

  • 车规芯片
    设计剖析

  • 电源芯片
    设计剖析(PMIC/
    DC-DC转换器等)

  • 数模混淆
    信号芯片
    设计剖析

  • 协同优化
    系统电热性能
    (Chip/Package/PCB)

  • 高压氮化镓
    功率器件
    设计剖析

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